半導體微縮圖形化與下一代光刻技術(shù)精講

定　價：￥99.00

作　者：	[日]岡崎信次
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111777731	出版時間：	2024-12-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書從光刻機到下一代光刻技術(shù)，從光刻膠材料到多重圖形化技術(shù)，全面剖析每一步技術(shù)革新如何推動半導體產(chǎn)業(yè)邁向納米級精細加工的新高度。本書共14章，內(nèi)容包括光掩膜、下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢、EUV掩膜技術(shù)、納米壓印技術(shù)、電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā)、定向自組裝（DSA）技術(shù)、光刻膠材料的發(fā)展趨勢、含金屬光刻膠材料技術(shù)、多重圖形化中的沉積和刻蝕技術(shù)、光散射測量技術(shù)、掃描探針顯微鏡技術(shù)、基于小角度X射線散射的尺寸和形狀測量技術(shù)、MEMS技術(shù)的微縮圖形化應(yīng)用、原子級低損傷高精度刻蝕等。本書適合有一定半導體相關(guān)知識的從業(yè)者閱讀。

作者簡介

　　李哲洋，博士，研究員，現(xiàn)任懷柔實驗室北京智慧能源研究院功率半導體研究所碳化硅外延材料資深技術(shù)專家。畢業(yè)于南京大學物理學院，獲微電子與固體電子學博士學位，主要研究方向為第三代半導體材料與器件。曾就職于中國電子科技集團公司第五十五研究所、瀚天天成電子科技（廈門）有限公司和南京大學，是我國最早從事第三代半導體材料及器件研究的科研人員之一。主編·作者名單主　編岡崎信次Gigaphoton株式會社原技術(shù)顧問作　者（按照撰寫順序）岡崎信次Gigaphoton株式會社原技術(shù)顧問林直也日本印刷株式會社精密光電子事業(yè)部研究員石原直東京大學工學系研究科首席研究員溝口計Gigaphoton株式會社執(zhí)行副社長/CTO/研究部長齋藤隆志Gigaphoton株式會社EUV開發(fā)部常務(wù)執(zhí)行董事EUV開發(fā)部長山崎卓Gigaphoton株式會社EUV開發(fā)部副部長笑喜勉HOYA株式會社掩膜事業(yè)部第2技術(shù)開發(fā)部主任小寺豐凸版印刷株式會社綜合研究所科長森本修佳能株式會社光學器材事業(yè)本部半導體器材第三PLM中心半導體器材NGL24設(shè)計室室長法元盛久日本印刷株式會社研究開發(fā)中心主干研究員山田章夫Advantest株式會社納米技術(shù)事業(yè)本部中山田憲昭Nu Flare Technology株式會社描畫裝置技術(shù)部參事山下浩Nu Flare Technology株式會社描畫裝置技術(shù)部光束控制技術(shù)組參事永原誠司東京電子株式會社CTSPS BU 高級經(jīng)理/首席科學家上野巧信州大學光纖創(chuàng)新技術(shù)孵化中心特聘教授鳥海實境界科技研究所所長野尻一男Lam Research株式會社執(zhí)行董事/研究員杉本有俊日立株式會社高科技電子器件系統(tǒng)事業(yè)統(tǒng)括本部公司顧問白崎博公玉川大學名譽教授大田昌弘島津制作所株式會社分析測量事業(yè)部X射線表面測量事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理伊藤義泰Rigaku X射線研究所株式會社主任技師江刺正喜日本東北大學微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心主任/教授戶津健太郎日本東北大學微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心副教授鈴木裕輝夫日本東北大學微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心助手小島明日本東北大學微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心研究員池上尚克日本東北大學微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心研究員宮口裕日本東北大學微系統(tǒng)融合研究開發(fā)中心研究員越田信義東京農(nóng)工大學研究生院工學部特聘教授寒川誠二日本東北大學流體科學研究所/原子分子材料高等研究所教授

圖書目錄

目　錄
主編·作者名單
緒　言　　半導體微縮圖形化技術(shù)與光刻技術(shù)
?1?? 引言
?2?? 微縮化的指導原則及其效果
?3?? 光刻技術(shù)的發(fā)展及其困難
?4?? 下一代光刻技術(shù)及未來發(fā)展
第 1 章　光掩膜
1.1　引言
1.2　光掩膜的起源
1.3　光掩膜的結(jié)構(gòu)
1.4　光掩膜的制造工藝
1.5　掩膜版的挑戰(zhàn)及未來展望
第 2 章　下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢
2.1　下一代光刻技術(shù)
2.2　EUV光刻技術(shù)
2.3　電子束刻蝕技術(shù)
2.4　納米壓印技術(shù)
2.5　定向自組裝（Directed　Self Assembly）技術(shù)
第 3 章　 EUV掩膜技術(shù)
3.1　EUV掩膜版制造技術(shù)
3.2　掩膜技術(shù)
第 4 章　納米壓印技術(shù)
4.1　納米壓印設(shè)備
4.2　納米壓印模板技術(shù)
第 5 章　電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā)
5.1　可變形電子束刻蝕設(shè)備
5.2　多電子束刻蝕設(shè)備
第 6 章　定向自組裝（DSA）技術(shù)
6.1　引言
6.2　DSA技術(shù)中聚合物的自組裝
6.3　DSA工藝的基本步驟
6.4　DSA工藝相關(guān)材料
6.5　DSA工藝的模擬
6.6　DSA技術(shù)的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)
6.7　結(jié)語
第 7 章　光刻膠材料的發(fā)展趨勢
7.1　引言
7.2　光刻膠技術(shù)的轉(zhuǎn)折點
7.3　曝光波長的縮短和光刻膠的光吸收
7.4　顯影液的演變
7.5　感光膠的感光機制演變及對比度提高
7.6　分辨率限制與分子尺寸的考察
7.7　結(jié)語
第 8 章　含金屬光刻膠材料技術(shù)
8.1　初期的含金屬光刻膠
8.2　EUV含金屬光刻膠的特點
8.3　康奈爾大學、昆士蘭大學、EIDEC的含金屬光刻膠
8.4　含金屬光刻膠的構(gòu)成
8.5　俄勒岡州立大學、Inpria公司、IMEC的含金屬光刻膠
8.6　其他含金屬光刻膠
8.7　含金屬光刻膠的功能提升
第 9 章　多重圖形化中的沉積和刻蝕技術(shù)
9.1　多重圖形化中沉積和刻蝕技術(shù)的作用
9.2　沉積技術(shù)
9.3　刻蝕技術(shù)
9.4　結(jié)語
第 10 章　光散射測量技術(shù)
10.1　引言
10.2　半導體光刻技術(shù)
10.3　反射光測量技術(shù)
10.4　散射計
10.5　優(yōu)化方法
10.6　光散射測量分析的實例
10.7　結(jié)語
第 11 章　掃描探針顯微鏡技術(shù)
11.1　引言
11.2　AFM的原理
11.3　各種SPM技術(shù)
11.4　SPM的特點
11.5　SPM的應(yīng)用
11.6　結(jié)語
第 12 章　基于小角度X射線散射的尺寸和形狀測量技術(shù)
12.1　引言
12.2　X射線散射
12.3　小角度X射線散射的測量方法
12.4　測量示例
12.5　結(jié)語
第 13 章　 MEMS技術(shù)的微縮圖形化應(yīng)用
13.1　引言
13.2　EUV光源濾波器
13.3　基于有源矩陣納米硅電子源的超大規(guī)模平行電子束刻蝕
13.4　結(jié)語
第 14 章　先進刻蝕技術(shù)概要?原子級低損傷高精度刻蝕
14.1　引言
14.2　中性粒子束生成裝置
14.3　22nm節(jié)點之后的縱向鰭式場效應(yīng)晶體管
14.4　無缺陷納米結(jié)構(gòu)及其特性
14.5　原子層面的表面化學反應(yīng)控制
14.6　結(jié)語