摻雜GaN納米線制備技術

1 緒論
1.1 納米材料概述
1.2 GaN材料概述
1.2.1 物理性質
1.2.2 化學性質
1.2.3 電學性質
1.2.4 光學特性
1.3 GaN納米線的合成方法
1.3.1 分子束外延法
1.3.2 金屬有機化學氣相沉積法
1.3.3 氫化物輸運氣相外延生長法
1.3.4 模板限制生長法
1.3.5 激光燒蝕法
1.3.6 氧化物輔助生長法
1.3.7 化學氣相沉積法
1.3.8 溶膠-凝膠法
1.4 納米線的生長機制
1.4.1 氣-液-固機制
1.4.2 氣-固機制
1.4.3 GaN納米線表征與性能測試方法
1.5 場發(fā)射理論
1.5.1 經典F-N理論
1.5.2 半導體場致電子發(fā)射
1.5.3 相關概念
參考文獻
2 P摻雜GaN納米線的制備及性能
2.1 實驗原料
2.2 襯底的處理
2.3 實驗步驟及形貌分析
2.3.1 基本實驗步驟
2.3.2 不同氨化溫度對P摻雜GaN納米線形貌的影響
2.3.3 不同氨化時間對P摻雜GaN納米線形貌的影響
2.3.4 不同氨氣流量對P摻雜GaN納米線形貌的影響
2.3.5 不同濃度P摻雜對GaN納米線形貌的影響
2.4 P摻雜GaN納米線的物相分析
2.4.1 純凈GaN納米線的物相分析
2.4.2 摻雜源比例為1：30的P摻雜GaN納米線的物相分析
2.4.3 摻雜質量比為1：20的P摻雜GaN納米線的物相分析
2.4.4 摻雜質量比為1：10的P摻雜GaN納米線的物相分析
2.5 P摻雜GaN納米線的性能
2.6 P摻雜GaN納米的生長機制分析
參考文獻
3 Te摻雜GaN納米線的制備及性能
3.1 實驗方法及設備
3.2 實驗過程
3.3 樣品的表征與分析
3.3.1 樣品的表征方法
3.3.2 GazOg和Te質量比對納米線的影響
3.3.3 反應溫度對納米線的影響
3.3.4 Te摻雜GaN納米線的Raman分析