先進(jìn)復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備

定　價：￥88.00

作　者：	戴煜
出版社：	中南大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

ISBN：	9787548752981	出版時間：	2023-05-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	199	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書首先介紹了陶瓷基復(fù)合材料、碳/碳復(fù)合材料、金屬基復(fù)合材料等耐高溫復(fù)合材料的分類、性能特點(diǎn)、主要用途、主要制備工藝等，以及復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備的發(fā)展趨勢；然后介紹了這些復(fù)合材料制備過程中均要涉及的關(guān)鍵高溫?zé)峁ぱb備——真空爐的主要構(gòu)成及其設(shè)計(jì)和制造的基本理論、原則和方法；同時介紹了這些高溫?zé)峁ぱb備設(shè)計(jì)過程中經(jīng)常應(yīng)用的數(shù)值模擬方法的原理、基本步驟和流程及相關(guān)實(shí)例：再對一些典型的真空爐的主要用途、性能裝備、具體構(gòu)成及特點(diǎn)進(jìn)行了簡要介紹；以MS-H2原料體系通過CVD工藝制備SiC涂層作為具體實(shí)例，介紹了CVD工藝制備SiC涂層的化學(xué)原理以及數(shù)值模擬在CVD工藝裝備和工藝設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，在此基礎(chǔ)上進(jìn)行了設(shè)備和工藝的驗(yàn)證，在一定程度上展示了工藝-設(shè)備-體化的內(nèi)涵。本書可作為從事陶瓷基復(fù)合材料、碳/碳復(fù)合材料、金屬基復(fù)合材料等耐高溫?zé)o機(jī)復(fù)合材料的教學(xué)、科研、生產(chǎn)、管理、銷售人員和從事這些復(fù)合材料熱工裝備研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、管理、銷售人員的參考資料。

作者簡介

暫缺《先進(jìn)復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備》作者簡介

圖書目錄

第1章復(fù)合材料概論
1.1 復(fù)合材料的組成特點(diǎn)及分類
1.2 陶瓷基復(fù)合材料的性能與用途
1.2.1 陶瓷基復(fù)合材料的組成特點(diǎn)及分類
1.2.2 陶瓷基復(fù)合材料的性能特點(diǎn)及應(yīng)用
1.2.3 陶瓷基復(fù)合材料的主要制備工藝
1.3 碳基復(fù)合材料的性能與用途
1.3.1 碳基復(fù)合材料的組成特點(diǎn)及分類
1.3.2 碳/碳(C1/C)復(fù)合材料的性能特點(diǎn)及應(yīng)用
1.3.3 碳基復(fù)合材料的主要制備工藝
1.4 金屬基復(fù)合材料的性能與用途
1.4.1 金屬基復(fù)合材料的組成特點(diǎn)及分類
1.4.2 金屬基復(fù)合材料的性能特點(diǎn)及應(yīng)用
1.4.3 金屬基復(fù)合材料的主要制備工藝
1.5 耐高溫復(fù)合材料的工藝共性
1.6 復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備發(fā)展趨勢
第2章復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備關(guān)鍵分系統(tǒng)及要求
2.1 概述
2.2 爐殼系統(tǒng)
2.2.1 系統(tǒng)概述
2.2.2 爐殼主要結(jié)構(gòu)形式
2.2.3 爐筒主要結(jié)構(gòu)形式
2.2.4 封頭/爐門(蓋)結(jié)構(gòu)
2.2.5 爐筒壁厚的設(shè)計(jì)計(jì)算要點(diǎn)
2.2.6 爐殼制造的要點(diǎn)
2.2.7 封頭結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)特點(diǎn)
2.2.8 開孔補(bǔ)強(qiáng)設(shè)計(jì)計(jì)算方法和一般規(guī)定
2.3 隔熱保溫系統(tǒng)
2.3.1 系統(tǒng)概述
2.3.2 常見非金屬隔熱屏及其保溫材料
2.3.3 常見隔熱保溫系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
2.4 加熱系統(tǒng)
2.4.1 系統(tǒng)概述
2.4.2 加熱功率的確定
2.4.3 電阻電熱元件材料
2.4.4 電阻電熱元件的結(jié)構(gòu)
2.4.5 電阻電熱元件的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
2.5 真空系統(tǒng)
2.5.1 真空爐真空系統(tǒng)的組成
2.5.2 真空系統(tǒng)的設(shè)計(jì)計(jì)算
2.5.3 常用真空泵工作原理及特點(diǎn)
2.6 冷卻系統(tǒng)
2.6.1 真空爐水冷系統(tǒng)的組成
2.6.2 真空爐水冷系統(tǒng)主要設(shè)計(jì)參數(shù)計(jì)算
2.7 電控系統(tǒng)
2.7.1 電控系統(tǒng)設(shè)計(jì)一般要求
2.7.2 智能電控系統(tǒng)主要組成及主要功能特點(diǎn)
2.8 其他系統(tǒng)
2.8.1 氣路系統(tǒng)
2.8.2 進(jìn)出料系統(tǒng)
第3章復(fù)合材料高溫?zé)峁ぱb備關(guān)鍵分系統(tǒng)數(shù)值模擬
3.1 概述
3.2 數(shù)值模擬方法與原理介紹
3.2.1 理論基礎(chǔ)
3.2.2 數(shù)值計(jì)算方法
3.2.3 商業(yè)軟件概況
3.3 熱工裝備關(guān)鍵組成的數(shù)值模擬應(yīng)用實(shí)例
3.3.1 一般流程
3.3.2 應(yīng)用實(shí)例l——某真空爐進(jìn)氣方案的數(shù)值模擬與優(yōu)化
3.3.3 應(yīng)用實(shí)例2——碳化硅涂層化學(xué)氣相沉積爐關(guān)鍵設(shè)計(jì)的數(shù)值模擬研究
第4章復(fù)合材料典型高溫?zé)峁ぱb備簡述
4.1 化學(xué)氣相沉積爐
4.1.1 概述
4.1.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.1.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.2 化學(xué)氣相滲透爐
4.2.1 概述
4.2.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.2.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.3 真空碳化爐
4.3.1 概述
4.3.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.3.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.4 真空石墨化爐
4.4.1 概述
4.4.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.4.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.5 真空裂解爐
4.5.1 概述
4.5.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.5.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.6 真空滲硅爐
4.6.1 概述
4.6.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.6.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.7 氣壓燒結(jié)爐
4.7.1 概述
4.7.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.7.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
4.8 壓力熔滲爐
4.8.1 概述
4.8.2 主要技術(shù)參數(shù)
4.8.3 主要構(gòu)成及特點(diǎn)
第5章復(fù)合材料高溫化學(xué)氣相沉積裝備關(guān)鍵分系統(tǒng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用實(shí)例
5.1 CVD SiC工藝原理及特點(diǎn)
5.2 MS CVD SiC初始工藝條件
5.2.1 原材料
5.2.2 初始工藝參數(shù)
5.3 工藝及沉積室的數(shù)值模擬
5.3.1 初始條件
5.3.2 Comsol模擬計(jì)算
5.3.3 模擬計(jì)算結(jié)果
5.4 裝備及工藝驗(yàn)證
5.4.1 裝備驗(yàn)證
5.4.2 工藝驗(yàn)證
參考文獻(xiàn)