航天器內(nèi)帶電三維仿真及外露介質(zhì)充電模擬技術(shù)

第1章 緒論
1．1 研究背景及需求
1．1．1 空間環(huán)境效應(yīng)與航天器充放電問題
1．1．2 航天器內(nèi)帶電及外露介質(zhì)充電
1．2 國(guó)內(nèi)外研究動(dòng)態(tài)
1．2．1 航天器內(nèi)帶電的在軌探測(cè)、效應(yīng)實(shí)驗(yàn)和數(shù)值模擬
1．2．2 溫度和特殊結(jié)構(gòu)對(duì)航天器內(nèi)帶電的影響
1．2．3 航天器外露介質(zhì)充電模型與仿真分析
1．3 研究趨勢(shì)與需要解決的問題
第2章 航天器內(nèi)帶電物理概述
2．1 航天器內(nèi)帶電環(huán)境
2．2 內(nèi)帶電物理學(xué)基礎(chǔ)
2．2．1 高能帶電粒子在固體中的穿透特性
2．2．2 阻止本領(lǐng)
2．2．3 透入深度和射程
2．2．4 高電場(chǎng)雪崩電離
2．2．5 Mott轉(zhuǎn)變
2．2．6 Poole-Frenkel強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)
2．2．7 齊納擊穿
2．2．8 電子注量
2．2．9 介質(zhì)深層帶電的臨界注量
2．2．10 帶電粒子的穿透效應(yīng)
第3章 航天器內(nèi)帶電機(jī)理分析與三維仿真方法
3．1 航天器內(nèi)帶電機(jī)理分析
3．1．1 高能電子與靶材料的相互作用
3．1．2 電位與電場(chǎng)的建立過程
3．2 影響內(nèi)帶電的因素
3．2．1 材料電導(dǎo)率
3．2．2 部件的結(jié)構(gòu)與工作狀態(tài)
3．2．3 GEO航天器內(nèi)帶電惡劣充電環(huán)境（Flumic3）高能電子輻射能譜
3．3 用于內(nèi)帶電三維仿真的電荷輸運(yùn)模擬
3．3．1 電荷輸運(yùn)模擬理論分析
3．3．2 電荷輸運(yùn)三維模擬工具
3．3．3 電荷輸運(yùn)結(jié)果與分析
3．4 內(nèi)帶電三維計(jì)算模型
3．4．1 三維計(jì)算模型的控制方程與邊界條件
3．4．2 CCL模型的一維數(shù)值解法
3．4．3 CCL模型的二維和三維數(shù)值解法
3．4．4 CCL電場(chǎng)計(jì)算模型與RIC模型的對(duì)比分析
第4章 航天器內(nèi)帶電仿真的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
4．1 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證方案
4．2 采用公開發(fā)表的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行的驗(yàn)證
4．3 電路板內(nèi)帶電實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
4．3．1 實(shí)驗(yàn)方案
4．3．2 仿真方案
4．3．3 仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對(duì)比分析
4．3．4 仿真拓展研究
4．4 SADM盤環(huán)模擬結(jié)構(gòu)內(nèi)帶電實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
4．4．1 實(shí)驗(yàn)背景與試樣制備
4．4．2 實(shí)驗(yàn)與仿真方案
4．4．3 仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的對(duì)比驗(yàn)證
4．4．4 參數(shù)化仿真內(nèi)帶電隨介質(zhì)電導(dǎo)率的變化規(guī)律
……
第5章 溫度和特殊結(jié)構(gòu)對(duì)航天器內(nèi)帶電的影響
第6章 航天器外露介質(zhì)充電模型
第7章 典型外露介質(zhì)充電仿真與防護(hù)設(shè)計(jì)應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
附錄A Katz型二次電子發(fā)射系數(shù)公式