先進材料的計算與設(shè)計

目錄
序
前言
第1章**性原理計算中的總能1
1.1系統(tǒng)總能與薛定諤方程1
1.2密度泛函理論3
1.3密度泛函理論的總能計算6
1.4系統(tǒng)總能計算與結(jié)構(gòu)預測范例8
第2章晶體結(jié)構(gòu)中的點缺陷34
2.1點缺陷形成能計算34
2.2硫族化合物半導體中的點缺陷35
2.3氧空位與阻變存儲材料44
2.4二維過渡金屬碳化物中的金屬空位59
2.5氧對相變存儲材料GeTe性能調(diào)控的微觀機制68
2.6釔摻雜碲化銻71
第3章材料中的擴散85
3.1擴散的計算方法85
3.2阻變存儲材料中的點缺陷擴散行為86
3.3氫和氧在面心立方鈷中的吸附與擴散108
3.4Mo2C MXene電極材料上鋰離子的吸附和擴散117
第4章非晶與**性原理分子動力學123
4.1經(jīng)典分子動力學與**性原理分子動力學123
4.2**性原理分子動力學基本理論方法125
4.3非晶結(jié)構(gòu)的表征方法139
4.4硫族化合物的非晶結(jié)構(gòu)及快速可逆相變142
4.5壓力誘導的可逆相變156
4.6摻雜元素對相變存儲材料的非晶結(jié)構(gòu)的影響169
4.7非晶Sb2Te3晶化的微觀機理177
第5章材料中的熱輸運問題186
5.1固體熱導率186
5.2釔摻雜碲化銻的電子熱導率和晶格熱導率197
5.3高熱電性能的Sb2Te3納米薄膜203
5.4Bi摻雜對Sb2Te3單層納米薄膜熱電性質(zhì)的影響210
5.5應變協(xié)同調(diào)制Sb2Te3納米薄膜的熱電優(yōu)值224
5.6MXene的熱輸運性質(zhì)及其調(diào)控233
5.7電子聲子散射對晶格熱導率的影響241
第6章材料中新奇量子性質(zhì)的計算與調(diào)控248
6.1相互作用電子的基本理論248
6.2二維晶體Cr2C的半金屬鐵磁性255
6.3As2S3(As2Se3)二維半導體261
6.4硫族化合物半導體的拓撲絕緣行為267
6.5MXene的量子自旋霍爾相292
第7章范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)309
7.1二維半導體與電極異質(zhì)結(jié)的接觸性質(zhì)309
7.2GaSe/石墨烯異質(zhì)結(jié)的肖特基勢壘310
7.3MXene的金屬特性與功函數(shù)317
7.4MXene/過渡金屬硫族化合物范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)323
7.5MXene/藍磷范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)界面339
7.6MXene/藍磷范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)的TypeⅠ與TypeⅡ轉(zhuǎn)換348
7.7TypeⅡ型MoS2/AlN(GaN)半導體范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)354
第8章新型光電子材料設(shè)計363
8.1單層三磷化銦363
8.2二維半導體CrOX375
8.3MXene水分解光催化劑383
8.4二維過渡金屬硼化物391
8.5Ti2CO2表面負載Cu單原子催化劑397