多元非晶氧化物薄膜及其薄膜晶體管

第1章 緒論
1．1 薄膜晶體管的技術(shù)特點(diǎn)
1．2 氧化物材料及多元非晶氧化物TFT的優(yōu)勢
1．2．1 氧化物材料
1．2．2 多元非晶氧化物TFT的優(yōu)勢
1．3 多元非晶氧化物TFT的結(jié)構(gòu)、工作原理及性能表征
1．3．1 多元非晶氧化物TFT的結(jié)構(gòu)
1．3．2 多元非晶氧化物TFT的工作原理
1．3．3 多元非晶氧化物TFT的性能指標(biāo)
1．4 多元非晶氧化物TFT的研究現(xiàn)狀
1．4．1 多元非晶氧化物溝道層的研究
1．4．2 介質(zhì)層材料的研究
1．4．3 電極材料的研究
1．4．4 器件結(jié)構(gòu)的研究
1．4．5 多元非晶氧化物TFT在顯示領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀
1．5 選題意義及研究內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
第2章 多元非晶氧化物TFT的制備及表征
2．1 多元非晶氧化物TFT的成膜工藝
2．1．1 溶膠凝膠法
2．1．2 真空蒸發(fā)法
2．2 多元非晶氧化物TFT的結(jié)構(gòu)與制備流程
2．3 表征方法
2．3．1 溶膠的熱重分析
2．3．2 薄膜的厚度測試
2．3．3 薄膜的結(jié)構(gòu)分析測試
2．3．4 薄膜光學(xué)性能測試
2．3．5 薄膜電學(xué)性能測試
2．3．6 薄膜晶體管電學(xué)性能測試
參考文獻(xiàn)
第3章 非晶La-Zn-Sn-O溝道層及其薄膜晶體管的研究
3．1 概述
3．2 La-Zn-Sn-O溝道層薄膜及其薄膜晶體管的制備
3．3 溶膠的TGA測試
3．4 La-Zn-Sn-O薄膜結(jié)構(gòu)與性能的研究
3．4．1 La含量對(duì)薄膜特性的影響
3．4．2 膜厚對(duì)薄膜特性的影響
3．5 非晶La-Zn-Sn-O薄膜晶體管電學(xué)性能的研究
3．5．1 溝道層La含量對(duì)薄膜晶體管性能的影響
3．5．2 溝道層厚度對(duì)薄膜晶體管性能的影響
3．6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 非晶A1-In-Zn-O溝道層及其薄膜晶體管的研究
4．1 概述
4．2 A1-In-Zn-O溝道層薄膜及其薄膜晶體管的制備
4．3 溶膠的TGA測試
4．4 A1-In-Zn-O薄膜結(jié)構(gòu)與性能的研究
4．4．1 A1含量對(duì)薄膜特性的影響
4．4．2 退火溫度對(duì)薄膜特性的影響
4．5 非晶A1-In-Zn-O薄膜晶體管電學(xué)性能的研究
4．5．1 溝道層A1含量對(duì)薄膜晶體管性能的影響
4．5．2 溝道層退火溫度對(duì)薄膜晶體管性能的影響
4．5．3 高／低電阻率雙溝道層薄膜晶體管的制備及性能的研究
4．6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 有機(jī)聚甲基丙烯酸甲酯介質(zhì)層的研究
5．1 概述
5．2 介質(zhì)層薄膜的制備
5．3 溶膠的TGA測試
5．4 介質(zhì)層薄膜的性能分析
5．4．1 薄膜的表面形貌
5．4．2 薄膜的光學(xué)性能
5．4．3 薄膜的介電特性
5．5 介質(zhì)層厚度對(duì)薄膜晶體管性能的影響
5．6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 氧空位及A1摻雜IZO電子結(jié)構(gòu)的性原理研究
6．1 概述
6．2 密度泛函理論
6．2．1 Hohenberg-Kohn定理
6．2．2 自洽Kohn-Sham方程
6．2．3 局域密度近似
6．3 模型構(gòu)建與計(jì)算方法
6．4 理想IZO電子結(jié)構(gòu)的理論計(jì)算與分析
6．5 氧空位缺陷對(duì)IZO電子結(jié)構(gòu)的影響
6．6 A1摻雜對(duì)IZO電子結(jié)構(gòu)的影響
6．7 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章 結(jié)論與展望
7．1 結(jié)論
7．2 展望