晶體生長(zhǎng)原理與技術(shù)（第二版）

定　價(jià)：￥360.00

作　者：	介萬(wàn)奇
出版社：	科學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787030589989	出版時(shí)間：	2018-11-01	包裝：
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：	796	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書分4篇探討晶體生長(zhǎng)的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長(zhǎng)的基本原理，分5章對(duì)晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過(guò)程、生長(zhǎng)形態(tài)及晶體生長(zhǎng)初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長(zhǎng)的技術(shù)基礎(chǔ)，分3章進(jìn)行晶體生長(zhǎng)過(guò)程的涉及傳輸行為（傳質(zhì)、傳熱、對(duì)流）、化學(xué)基礎(chǔ)問(wèn)題（材料的提純與合成問(wèn)題）以及物理基礎(chǔ)（電、磁、力的作用原理）的綜合分析。第三篇為晶體生長(zhǎng)技術(shù)，分4章分別對(duì)以Bridgman法為主的熔體法晶體生長(zhǎng)、以Czochralski方法為主的熔體法晶體生長(zhǎng)、溶液法晶體生長(zhǎng)以及氣相晶體生長(zhǎng)技術(shù)與**發(fā)展進(jìn)行介紹。第四篇分2章分別對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中缺陷的形成與控制和晶體的結(jié)構(gòu)與性能表征方法進(jìn)行論述。