軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告

定　價(jià)：￥96.00

作　者：	中國國防科技信息中心
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787118116274	出版時(shí)間：	2018-04-01	包裝：
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內(nèi)容簡介

　　軍用電子元器件在新軍事變革與武器裝備信息化、智能化發(fā)展中發(fā)揮著極為重要的作用，發(fā)達(dá)國家已將電子元器件視為重要戰(zhàn)略資源，積極推動(dòng)電子元器件技術(shù)特別是前沿技術(shù)的發(fā)展，以維持或加大武器裝備技術(shù)的“代差”優(yōu)勢(shì)，掌握未來戰(zhàn)爭主動(dòng)權(quán)。為幫助廣大讀者全面、深入地了解軍用電子元器件技術(shù)發(fā)展的新動(dòng)向，我們組織中國電子科技集團(tuán)公司第十一研究所、第十二研究所、第十三研究所、第四十九研究所等專業(yè)研究所，以及中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所、中國兵器工業(yè)集團(tuán)第二一一研究所、中國久遠(yuǎn)高新技術(shù)裝備公司、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、北京郵電大學(xué)等有關(guān)單位研究人員，共同編撰了《軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告》?！盾娪秒娮釉骷I(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告》由綜合動(dòng)向分析、重要專題分析、附錄三部分構(gòu)成。綜合動(dòng)向分析部分對(duì)2017年軍用微電子、光電子、真空電子、傳感器、電能源、抗輻照等重點(diǎn)領(lǐng)域器件與技術(shù)發(fā)展情況進(jìn)行了分析和歸納；重要專題分析部分從元器件領(lǐng)域選取16個(gè)重點(diǎn)和熱點(diǎn)問題進(jìn)行了比較深入的分析和研究；附錄對(duì)2017年軍用電子元器件重點(diǎn)領(lǐng)域的重大或重要事件進(jìn)行了簡述。

作者簡介

暫缺《軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展報(bào)告》作者簡介

圖書目錄

綜合動(dòng)向分析
2017年軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展綜述
2017年微電子器件發(fā)展綜述
2017年光電子器件發(fā)展綜述
2017年電能源發(fā)展綜述
2017年抗輻射加固器件發(fā)展綜述
2017年微電子器件技術(shù)發(fā)展綜述
2017年光電子器件技術(shù)發(fā)展綜述
2017年電能源技術(shù)發(fā)展綜述
2017年抗輻射加固器件技術(shù)發(fā)展綜述
2017年真空電子器件與技術(shù)發(fā)展綜述
2017年傳感器器件與技術(shù)發(fā)展綜述
重要專題分析
半導(dǎo)體金剛石材料和器件研究現(xiàn)狀
石墨烯一硅光電子器件發(fā)展現(xiàn)狀和前景
軍用非制冷紅外成像機(jī)芯組件發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)
兆瓦級(jí)激光器研究進(jìn)展與技術(shù)挑戰(zhàn)
發(fā)展新一代真空電子器件
美國在功能芯片上實(shí)現(xiàn)計(jì)算與存儲(chǔ)集成
美國定向自組裝芯片圖形化工藝突破10納米
美國電子束光刻工藝達(dá)1納米量級(jí)
世界首個(gè)集成硅光子學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)硬件誕生
單片量子點(diǎn)一石墨烯CMOS圖像傳感器實(shí)現(xiàn)寬波段成像
超表面結(jié)構(gòu)開辟光波導(dǎo)模式轉(zhuǎn)換新途徑
MEMS紅外光源有望實(shí)現(xiàn)更新?lián)Q代
微納光機(jī)電傳感技術(shù)
DARPA啟動(dòng)“電子復(fù)興”計(jì)劃
DARPA“近零功率射頻和傳感器”項(xiàng)目研究進(jìn)展
附錄
2017年軍用電子元器件領(lǐng)域科技發(fā)展大事記