產(chǎn)業(yè)專利分析報告：芯片先進(jìn)制造工藝（第50冊）

第1章研究概述
1.1研究背景
1.1.1技術(shù)概況
1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3行業(yè)需求
1.2研究對象和方法
1.2.1技術(shù)分解
1.2.2數(shù)據(jù)檢索
1.2.3查全率、查準(zhǔn)率評估
1.2.4相關(guān)事項約定
第2章芯片制造工藝專利現(xiàn)狀分析
2.1概述
2.1.1外延工藝簡述
2.1.2光刻工藝簡述
2.1.3刻蝕工藝簡述
2.1.4摻雜工藝簡述
2.1.5銅互連工藝簡介
2.2全球?qū)＠暾垹顩r
2.2.1全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析
2.2.2全球主要申請人分析
2.2.3專利申請國別地區(qū)分布
2.3中國專利申請狀況
2.3.1中國專利申請態(tài)勢分析
2.3.2中國主要申請人分析
2.3.3法律狀態(tài)分析
2.4小結(jié)與建議
第3章光刻技術(shù)專利現(xiàn)狀分析
3.1概述
3.2浸沒式光刻技術(shù)的專利分析
3.2.1全球?qū)＠暾垹顩r
3.2.2中國專利申請狀況
3.3多重圖形光刻技術(shù)的專利分析
3.3.1全球?qū)＠暾垹顩r
3.3.2中國專利申請狀況
3.4電子束光刻技術(shù)的專利現(xiàn)狀
3.4.1全球?qū)＠暾垹顩r
3.4.2中國專利申請狀況
3.5小結(jié)與建議
第4章先進(jìn)邏輯器件結(jié)構(gòu)及其制造工藝專利現(xiàn)狀分析
4.1FinFET技術(shù)的專利現(xiàn)狀
4.1.1概述
4.1.2全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析
4.1.3中國專利申請態(tài)勢分析
4.1.4FinFET技術(shù)發(fā)展路線
4.2FDSOI技術(shù)的專利現(xiàn)狀
4.2.1概述
4.2.2全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析
4.2.3中國專利申請態(tài)勢分析
4.2.4FDSOI技術(shù)技術(shù)發(fā)展路線
4.3NWFET技術(shù)的專利現(xiàn)狀
4.3.1概述
4.3.2全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析
4.3.3中國專利申請態(tài)勢分析
4.4小結(jié)與建議
第5章3D
NAND制造工藝的專利現(xiàn)狀分析
5.1概述
5.2全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析
5.2.1申請趨勢分析
5.2.2主要技術(shù)分布
5.2.3重要申請人分析
5.2.4重要發(fā)明人分析
5.3中國專利申請態(tài)勢分析
5.3.1申請趨勢分析
5.3.2主要申請人分析
5.4技術(shù)發(fā)展路線
5.4.1三星
5.4.2東芝
5.4.3海力士
5.5非實體生產(chǎn)公司專利布局
5.6小結(jié)與建議
第6章攻防分析
6.1旺宏與飛索
6.1.1旺宏專利狀況
6.1.2飛索專利狀況
6.1.3旺宏與飛索專利訴訟
6.1.4專利比對
6.1.5小結(jié)與建議
6.2海力士與東芝
6.2.1海力士專利狀況
6.2.2東芝專利狀況
6.2.3戰(zhàn)略聯(lián)盟
6.2.4海力士與東芝閃迪專利訴訟
6.2.5專利比對
6.2.6小結(jié)與建議
第7章結(jié)論
7.1主要結(jié)論
7.1.1晶圓處理工序及其關(guān)鍵步驟
7.1.2先進(jìn)邏輯器件及其制造工藝
7.1.33D
NAND存儲器件及其制造工藝
7.1.4攻防分析
7.2主要建議
7.2.1企業(yè)建議
7.2.2行業(yè)建議
附錄
圖索引
表索引