基于Cadence的信號(hào)和電源完整性設(shè)計(jì)與分析

第1章 信號(hào)完整性
1．1 信號(hào)完整性的要求以及問(wèn)題的產(chǎn)生
1．1．1 信號(hào)完整性的要求
1．1．2 信號(hào)完整性問(wèn)題產(chǎn)生的原因
1．2 信號(hào)完整性問(wèn)題的分類(lèi)
1．2．1 反射
1．2．2 串?dāng)_
1．2．3 軌道塌陷
1．2．4 電磁干擾
1．3 傳輸線(xiàn)基礎(chǔ)理論
1．3．1 傳輸線(xiàn)
1．3．2 特性阻抗的計(jì)算
1．3．3 傳輸線(xiàn)的分類(lèi)
1．3．4 傳輸線(xiàn)效應(yīng)
1．3．5 避免傳輸線(xiàn)效應(yīng)的方法
1．4 端接電阻匹配方式
1．4．1 并聯(lián)終端匹配
1．4．2 串聯(lián)終端匹配
1．4．3 戴維南終端匹配
1．4．4 AC終端匹配
1．4．5 肖特基二極管終端匹配
1．4．6 多負(fù)載的端接
1．5 仿真模型
1．5．1 IBIS模型
1．5．2 驗(yàn)證IBIS模型
1．6 S參數(shù)
1．6．1 集總電路和分布電路
1．6．2 S參數(shù)的作用、由來(lái)和含義
1．6．3 S參數(shù)在電路仿真中的應(yīng)用
1．6．4 S參數(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)
1．7 電磁場(chǎng)求解方法
1．7．1 2D求解器
1．7．2 2．5D求解器
1．7．3 3D求解器
1．8 信號(hào)完整性仿真分析
1．8．1 反射理論及其仿真分析
1．8．2 串?dāng)_理論及其仿真分析
1．8．3 時(shí)序分析
1．9 本章小結(jié)
第2章 電源完整性
2．1 電源完整性的重要性
2．2 技術(shù)趨勢(shì)
2．3 電源分布系統(tǒng)（PDS）
2．3．1 PDS設(shè)計(jì)的關(guān)鍵
2．3．2 目標(biāo)阻抗
2．3．3 電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）
2．3．4 去耦電容器
2．3．5 電源平面
2．4 電源系統(tǒng)的噪聲來(lái)源
2．4．1 開(kāi)關(guān)噪聲
2．4．2 共模噪聲
2．4．3 電源噪聲
2．5 Cadence PI設(shè)計(jì)方法與步驟
2．6 單節(jié)點(diǎn)仿真
2．6．1 設(shè)計(jì)目標(biāo)
2．6．2 創(chuàng)建新PCB文件
2．6．3 啟動(dòng)電源完整性設(shè)置向?qū)?br />2．6．4 導(dǎo)入PCB參數(shù)
2．6．5 設(shè)置仿真參數(shù)
2．6．6 擺放電壓調(diào)節(jié)模塊
2．6．7 選擇電容器滿(mǎn)足目標(biāo)阻抗
2．7 多節(jié)點(diǎn)仿真
2．7．1 學(xué)習(xí)目標(biāo)
2．7．2 打開(kāi)PCB文件
2．7．3 初始多節(jié)點(diǎn)分析
2．7．4 去耦電容器布局
2．7．5 多節(jié)點(diǎn)仿真和分析
2．8 直流分析 (DC Analyze)
2．9 交流分析(AC Analysis)
2．10 諧振分析
2．10．1 串聯(lián)諧振
2．10．2 并聯(lián)諧振
2．11 PDS阻抗分析
2．12 本章小結(jié)
第3章 高速時(shí)鐘系統(tǒng)設(shè)計(jì)
3．1 共同時(shí)鐘系統(tǒng)
3．1．1 共同時(shí)鐘數(shù)據(jù)建立時(shí)序分析
3．1．2 共同時(shí)鐘數(shù)據(jù)保持時(shí)序分析
3．2 源同步時(shí)鐘系統(tǒng)
3．2．1 源同步時(shí)鐘數(shù)據(jù)建立時(shí)序分析
3．2．2 源同步時(shí)鐘數(shù)據(jù)保持時(shí)序分析
3．3 DDR3時(shí)序分析
3．3．1 DDR3時(shí)序指標(biāo)
3．3．2 Cadence分析
3．3．3 Speed 2000分析
3．3．4 兩種仿真流程的分析比較
3．3．5 實(shí)際測(cè)試
3．4 本章小結(jié)
第4章 DDR3并行總線(xiàn)仿真
4．1 高速DDRX總線(xiàn)概述
4．1．1 DDR發(fā)展
4．1．2 Bank和Rank
4．1．3 接口電平
4．1．4 ODT
4．1．5 Slew Rate Derating
4．1．6 Write Leveling
4．1．7 DDR3的新功能
4．2 開(kāi)發(fā)板簡(jiǎn)介
4．3 板載 DDR3的特點(diǎn)
4．4 Cadence仿真
4．4．1 仿真前的準(zhǔn)備工作
4．4．2 數(shù)據(jù)總線(xiàn)的仿真分析
4．4．3 數(shù)據(jù)選通信號(hào)的仿真分析
4．4．4 地址總線(xiàn)的仿真分析
4．4．5 小結(jié)
4．5 布線(xiàn)后仿真
4．5．1 DDR3參數(shù)提取
4．5．2 DDR3信號(hào)完整性仿真
4．5．3 DDR3電源完整性仿真
4．5．4 小結(jié)
4．6 DDR3 SSN分析
4．6．1 使能DDR Simulation
4．6．2 設(shè)置 Mesh
4．6．3 設(shè)置 Bus Groups
4．6．4 設(shè)置 Controller Model
4．6．5 設(shè)置 Memory Model
4．6．6 設(shè)置 Write仿真選項(xiàng)
4．6．7 設(shè)置 Read仿真選項(xiàng)
4．6．8 生成報(bào)告
4．6．9 小結(jié)
4．7 DDR3并行總線(xiàn)的布線(xiàn)規(guī)范總結(jié)
4．8 本章小結(jié)
第5章 PCIE串行總線(xiàn)仿真
5．1 常見(jiàn)高速串行總線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)一覽
5．2 串行總線(xiàn)結(jié)構(gòu)的基本要素
5．3 PCIE仿真
5．3．1 板載PCIE簡(jiǎn)介
5．3．2 PCIE參數(shù)提取
5．3．3 PCIE信號(hào)完整性仿真
5．3．4 PCIE電源完整性仿真
5．4 PCIE的仿真、實(shí)測(cè)對(duì)比
5．5 本章總結(jié)
第6章 SFP+串行總線(xiàn)仿真
6．1 SFP+簡(jiǎn)介
6．2 差分通道建模
6．2．1 提取SFP+無(wú)源通道
6．2．2 生成3D仿真端口
6．2．3 差分對(duì)的3DFEM仿真
6．3 通道仿真
6．4 SFP+規(guī)范仿真
6．5 仿真與實(shí)測(cè)對(duì)比
6．6 電源完整性仿真
6．6．1 SFP+電源介紹
6．6．2 直流壓降分析
6．6．3 平面諧振分析
6．7 本章小結(jié)
第7章 PCB的板級(jí)電熱耦合分析
7．1 電熱耦合概述
7．1．1 電熱耦合研究背景與意義
7．1．2 電熱耦合研究現(xiàn)狀
7．2 熱路基礎(chǔ)理論
7．2．1 傳熱學(xué)基本原理
7．2．2 熱路的熱阻、熱容提取
7．2．3 熱路與電路的等效
7．2．4 邊界條件的熱路建模
7．3 電熱耦合方法
7．3．1 電與熱的關(guān)系
7．3．2 電熱分布方程求解
7．4 電熱耦合分析
7．4．1 電熱耦合分析流程
7．4．2 實(shí)驗(yàn)分析設(shè)計(jì)
7．4．3 實(shí)驗(yàn)步驟
7．5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析
7．5．1 熱路對(duì)電路的影響
7．5．2 電路對(duì)熱路的影響
7．6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)