產(chǎn)業(yè)專利分析報告 高端通用芯片（第40冊）

第1章前言/
1.1研究背景/
1.1.1技術(shù)概況/
1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀/
1.1.3行業(yè)需求/
1.2研究對象和方法/
1.2.1數(shù)據(jù)檢索/
1.2.2查全查準率評估/
1.2.3相關(guān)事項約定/
第2章新型高密度隨機存取存儲器/
2.1新型高密度隨機存取存儲器技術(shù)概況/
2.2MRAM專利分析/
2.2.1MRAM技術(shù)概況/
2.2.2全球?qū)＠暾垹顩r/
2.2.3中國專利申請狀況/
2.2.4關(guān)鍵技術(shù)分析/
2.2.5重要申請人分析/
2.2.6小結(jié)/
2.3RRAM專利分析/
2.3.1RRAM技術(shù)概況/
2.3.2全球?qū)＠暾垹顩r/
2.3.3中國專利申請狀況/
2.3.4小結(jié)/
2.4FRAM專利分析/
2.4.1全球?qū)＠暾垹顩r/
2.4.2中國專利申請狀況/
2.4.3小結(jié)/
2.5PRAM專利分析/
2.5.1技術(shù)概況/
2.5.2全球?qū)＠暾垹顩r/
2.5.3中國專利申請狀況/
2.5.4小結(jié)/
2.6本章小結(jié)/
目錄產(chǎn)業(yè)專利分析報告（第40冊）第3章16nm/14nm技術(shù)專利分析/
3.1技術(shù)概況/
3.1.1FinFET/
3.1.2EUV光刻技術(shù)/
3.1.33D集成技術(shù)/
3.1.43D集成熱管理技術(shù)/
3.2FinFET/
3.2.1全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析/
3.2.2中國專利申請態(tài)勢分析/
3.2.3FinFET技術(shù)路線/
3.2.4英特爾與中芯國際的技術(shù)比較/
3.2.5小結(jié)/
3.3EUV光刻技術(shù)/
3.3.1全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析/
3.3.2中國專利申請態(tài)勢分析/
3.3.3EUV技術(shù)路線/
3.3.4小結(jié)/
3.43D集成技術(shù)/
3.4.1全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析/
3.4.2中國專利申請態(tài)勢分布/
3.4.33D集成TSV技術(shù)分析/
3.4.4小結(jié)/
3.53D集成熱管理技術(shù)/
3.5.1熱管理技術(shù)概況/
3.5.2全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析/
3.5.3中國專利申請態(tài)勢分析/
3.5.4國際專利技術(shù)發(fā)展路線分析/
3.5.5中國專利技術(shù)發(fā)展路線分析/
3.5.6小結(jié)/
3.6本章小結(jié)/
第4章CPU指令系統(tǒng)專利分析/
4.1CPU指令系統(tǒng)綜述/
4.1.1技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀/
4.1.2產(chǎn)業(yè)鏈位置/
4.1.3小結(jié)/
4.2全球?qū)＠暾垜B(tài)勢分析/
4.2.1總體申請趨勢分析/
4.2.2區(qū)域分布分析/
4.2.3原創(chuàng)分布分析/
4.2.4申請流向分析/
4.2.5主要申請人分析/
4.3中國專利申請態(tài)勢分析/
4.3.1總體申請態(tài)勢分析/
4.3.2技術(shù)構(gòu)成分析/
4.3.3國別分析/
4.3.4主要申請人分析/
4.3.5區(qū)域分布分析/
4.4英特爾/
4.4.1申請態(tài)勢分析/
4.4.2重點技術(shù)主題分析/
4.4.3法律狀態(tài)分析/
4.4.4發(fā)明人分析/
4.4.5技術(shù)發(fā)展路線分析/
4.4.6專利申請熱點分析/
4.4.7重點專利分析/
4.5ARM/
4.5.1申請態(tài)勢分析/
4.5.2重點技術(shù)主題分析/
4.5.3地域分布分析/
4.5.4技術(shù)發(fā)展路線分析/
4.5.5專利申請熱點分析/
4.5.6重點專利分析/
4.6小結(jié)/
第5章結(jié)論和建議/
5.1新型高密度存儲器領(lǐng)域/
5.1.1MRAM/
5.1.2RRAM/
5.1.3FRAM/
5.1.4PRAM/
5.216nm/14nm技術(shù)領(lǐng)域/
5.2.1FinFET/
5.2.2EUV光刻技術(shù)/
5.2.33D集成技術(shù)/
5.2.43D集成熱管理技術(shù)/
5.3CPU指令系統(tǒng)領(lǐng)域/
5.3.1專利申請態(tài)勢/
5.3.2CPU指令系統(tǒng)未來的發(fā)展/