坩堝下降法晶體生長

第1章 歷史回顧
1.1 早期工作
1.2 下降法生長鹵化物單晶
1.3 下降法生長半導(dǎo)體單晶
1.4 下降法生長氧化物晶體
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第2章 閃爍晶體鍺酸鉍、硅酸鉍及其混晶
2.1 概述
2.2 鍺酸鉍晶體
2.2.1 晶體生長
2.2.2 晶體缺陷
2.2.3 晶體性能
2.2.4 應(yīng)用舉例
2.3 硅酸鉍晶體
2.3.1 Bi2O3 SiO2贗二元系相圖
2.3.2 原料合成
2.3.3 晶體生長
2.3.4 生長缺陷
2.3.5 閃爍性能及摻雜改性
2.3.6 其他物理性能
2.3.7 BSO晶體應(yīng)用
2.4 硅鍺酸鉍混晶
2.4.1 固溶特性
2.4.2 晶體生長
2.4.3 閃爍性能
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第3章 四硼酸鋰壓電晶體生長與應(yīng)用
3.1 概述
3.1.1 壓電晶體
3.1.2 四硼酸鋰晶體
3.1.3 四硼酸鋰晶體生長
3.2 坩堝下降法生長
3.2.1 原料合成
3.2.2 下降法生長
3.2.3 工業(yè)化生長
3.3 晶體缺陷
3.3.1 氣泡和包裹物
3.3.2 串芯與云層
3.3.3 開裂
3.3.4 孿晶
3.3.5 位錯(cuò)及其他缺陷
3.4 物理性能
3.4.1 基本性能
3.4.2 壓電性能
3.4.3 光學(xué)性能
3.4.4 其他物理性能
3.5 SAW性能及應(yīng)用
3.5.1 SAW性能
3.5.2 晶片加工
3.5.3 SAW器件
3.6 總結(jié)與展望
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第4章 鹵化物晶體坩堝下降法生長與閃爍性能
4.1 概述
4.2 NaI：Tl晶體
4.2.1 晶體生長
4.2.2 NaI：Tl晶體的閃爍性能
4.3 碘化銫
4.3.1 晶體生長
4.3.2 碘化銫晶體的閃爍性能
4.4 BaF2晶體
4.4.1 晶體生長
4.4.2 晶體性能
4.5 PbF2晶體
4.6 SrI2：Eu晶體
4.6.1 晶體生長
4.6.2 晶體性能
4.7 稀土鹵化物閃爍晶體——LaCl3：Ce和LaBr3：Ce
4.7.1 晶體生長
4.7.2 晶體性能
4.8 展望
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第5章 鎢酸鉛閃爍晶體及其在大科學(xué)工程中的應(yīng)用
5.1 概述
5.2 PWO晶體的結(jié)構(gòu)特性與缺陷
5.2.1 PWO晶體的結(jié)構(gòu)
5.2.2 PWO晶體的缺陷
5.3 PWO晶體生長
5.3.1 PWO晶體的提拉法生長
5.3.2 PWO晶體的坩堝下降法生長
5.3.3 PWO晶體的坩堝下降法生長設(shè)備
5.3.4 PWO晶體的坩堝下降法生長工藝及優(yōu)化
5.3.5 PWO晶體定向與加工
5.3.6 PWO晶體生長工藝參數(shù)總結(jié)
5.4 PWO晶體閃爍性能
5.4.1 PWO晶體的發(fā)光和光輸出
5.4.2 PWO晶體的發(fā)光衰減
5.4.3 PWO晶體的輻照硬度
5.5 PWO晶體的摻雜效應(yīng)
5.5.1 一價(jià)、二價(jià)陽離子摻雜
5.5.2 三價(jià)陽離子摻雜
5.5.3 高價(jià)（五、六價(jià)陽離子）摻雜
5.5.4 一價(jià)陰離子摻雜
5.6 高光輸出PWO晶體研究
5.7 PWO晶體的應(yīng)用與展望
5.7.1 高能物理
5.7.2 醫(yī)用閃爍體
5.7.3 Cherenkov輻射體
5.7.4 光電子應(yīng)用
5.7.5 快離子導(dǎo)體材料
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第6章 弛豫鐵電單晶生長與表征的進(jìn)展
6.1 概述
6.2 弛豫鐵電單晶的生長
6.2.1 PZN PT和PMN PT
6.2.2 高居里溫度的弛豫鐵電 PT二元系晶體
6.2.3 高居里溫度的弛豫鐵電三元系晶體
6.3 弛豫鐵電晶體的表征
6.3.1 晶體取向?qū)π阅艿挠绊?br>6.3.2 電場引發(fā)的相變
6.3.3 外部直流偏壓下的介電性能
6.4 商業(yè)應(yīng)用和未來展望
6.4.1 單晶壓電驅(qū)動(dòng)器
6.4.2 醫(yī)學(xué)超聲成像換能器
6.4.3 聲吶換能器
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第7章 閃爍晶體鎢酸鎘坩堝下降法生長研究
7.1 閃爍晶體鎢酸鎘的研究進(jìn)展
7.1.1 概述
7.1.2 晶體結(jié)構(gòu)
7.1.3 基本性能
7.1.4 晶體生長方法
7.2 閃爍晶體鎢酸鎘的坩堝下降法生長
7.2.1 多晶料制備
7.2.2 晶體生長
7.2.3 若干生長技術(shù)問題
7.2.4 晶體缺陷
7.2.5 性能表征
7.2.6 摻雜晶體的研究
7.3 總結(jié)
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第8章 中紅外非線性光學(xué)晶體磷化鍺鋅和砷化鍺鎘的生長與表征
8.1 概述
8.2 ZnGeP2晶體
8.2.1 ZnGeP2晶體的結(jié)構(gòu)
8.2.2 ZnGeP2晶體的生長
8.2.3 ZnGeP2晶體的缺陷
8.2.4 ZnGeP2晶體性能與應(yīng)用
8.3 CdGeAs2晶體
8.3.1 CdGeAs2晶體的結(jié)構(gòu)
8.3.2 CdGeAs2晶體的生長
8.3.3 CdGeAs2晶體的缺陷
8.3.4 CdGeAs2晶體的應(yīng)用
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第9章 日本氧化物晶體坩堝下降法生長研究
9.1 概述
9.2 磁性應(yīng)用Mn Zn鐵氧體單晶
9.2.1 概述
9.2.2 傳統(tǒng)坩堝下降法生長Mn Zn鐵氧體單晶
9.2.3 坩堝下降法連續(xù)進(jìn)料晶體生長
9.2.4 小結(jié)
9.3 閃爍探測(cè)器用鎢酸鉛PbWO4（PWO）單晶
9.3.1 概述
9.3.2 晶體生長
9.3.3 生長方向和坩堝厚度
9.3.4 熔體成分效應(yīng)
9.3.5 X射線衍射分析
9.3.6 小結(jié)
9.4 Bi4Si3O12（BSO）單晶生長
9.4.1 概述
9.4.2 小尺寸BSO晶體生長
9.4.3 大尺寸BSO晶體進(jìn)展
9.4.4 Ce摻雜提高BSO晶體輻照硬度
9.4.5 小結(jié)
9.5 Nd摻雜BSO——一種新型的激光晶體
9.5.1 概述
9.5.2 Nd摻雜BSO晶體生長
9.5.3 光學(xué)性能和壽命測(cè)試
9.5.4 小結(jié)
9.6 聲波器件應(yīng)用大尺寸Li2B4O7（LBO）晶體生長
9.6.1 概述
9.6.2 LBO主要性能
9.6.3 下降法晶體生長
9.6.4 小結(jié)
9.7 總結(jié)
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第10章 坩堝下降法技術(shù)創(chuàng)新
10.1 概述
10.2 改進(jìn)型坩堝下降法
10.3 助熔劑 坩堝下降法
10.3.1 通氣誘導(dǎo)成核
10.3.2 ZnO晶體生長
10.3.3 PZNT晶體生長
10.4 底部籽晶法生長技術(shù)
10.4.1 底部籽晶法
10.4.2 PZNT晶體生長
10.4.3 SLN晶體生長
10.5 高溫坩堝下降法生長藍(lán)寶石
10.6 定向凝固生長大尺寸硅單晶
10.7 冷坩堝法生長釔穩(wěn)定氧化鋯
10.8 多坩堝下降法生長GaAs單晶
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