產業(yè)專利分析報告：功率半導體器件（第10冊）

第1章 研究概述
1.1 技術概況
1.1.1 主要功率半導體器件的技術特點及應用
1.1.2 產業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3 行業(yè)需求
1.2 研究對象和方法
1.2.1 技術分解
1.2.2 數(shù)據(jù)檢索
1.2.3 查全查準評估
1.2.4 數(shù)據(jù)處理
1.2.5 相關事項和約定
第2章 功率半導體器件領域專利分析
2.1 全球專利分析
2.1.1 發(fā)展趨勢分析
2.1.2 首次申請國家／地區(qū)分析
2.1.3 目標國家／地區(qū)分析
2.1.4 申請人分析
2.2 中國專利分析
2.2.1 中國專利申請發(fā)展趨勢分析
2.2.2 主要技術分析
2.2.3 專利申請的國別分析
2.2.4 專利申請的省市／地區(qū)區(qū)域分布
2.2.5 國內外申請人的類型分析
2.2.6 主要申請人分析
2.3 結論
第3章 IGBT領域專利申請分析
3.1 IGBT領域產業(yè)技術概況
3.1.1 技術概況
3.1.2 產業(yè)現(xiàn)狀
3.2 全球專利申請現(xiàn)狀
3.2.1 技術構成分析
3.2.2 IGBT結構的技術發(fā)展路線
3.2.3 首次申請國家／地區(qū)分析
3.2.4 目標國家／地區(qū)分析
3.2.5 申請人分析
3.3 中國專利申請現(xiàn)狀
3.3.1 申請趨勢分析
3.3.2 技術構成分析
3.3.3 技術功效分析
3.3.4 國外申請人區(qū)域分布分析
3.3.5 中國申請人區(qū)域分布分析
3.3.6 主要申請人分析
3.3.7 小結
3.4 結論
3.4.1 全球申請
3.4.2 中國申請
第4章 SiC器件專利申請分析
4.1 全球專利申請現(xiàn)狀
4.1.1 申請趨勢分析
4.1.2 技術生命周期分析
4.1.3 技術構成分析
4.1.4 申請人國家／地區(qū)分布
4.1.5 申請人分析
4.2 中國專利申請現(xiàn)狀
4.2.1 申請趨勢分析
4.2.2 技術構成分析
4.2.3 申請人分析
4.3 MOSFET柵氧化膜技術分析
4.3.1 發(fā)展路線分析
4.3.2 中國申請技術布局
4.3.3 未來需重點關注的相關申請
4.4 結論
4.4.1 全球申請狀況
4.4.2 中國申請狀況
4.4.3 MOSFET柵氧化膜技術
第5章 英飛凌公司專利申請分析
5.1 專利申請現(xiàn)狀
5.1.1 申請量趨勢分析
……
第6章 ABB公司專利申請分析
第7章 重要專利篩選及分析
第8章 主要結論
附錄1 重要專利列表
附錄2 SiCMOSFET器件柵氧化膜技術未來需要關注的相關申請
圖索引
表索引