氫化硅薄膜介觀力學行為研究和耐高溫壓力傳感器研制

定　價：￥26.00

作　者：	王權著
出版社：	江蘇大學出版社
叢編項：
標　簽：	化工原理化學工業(yè) 科技

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ISBN：	9787811304367	出版時間：	2012-12-01	包裝：	平裝
開本：	32開	頁數(shù)：	131	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《氫化硅薄膜介觀力學行為研究和耐高溫壓力傳感器研制》主要針對氫化硅薄膜介觀力學行為和耐高溫壓力傳感器這兩個問題展開了理論與實驗研究。氫化硅薄膜廣泛應用于光電子器件，如二極管、薄膜晶體管、太陽能電池、液晶顯示器等，人們對其光電特性作了深入的研究，但關于其力學特性涉及很少。已有的研究表明氫化硅薄膜，尤其是納米硅薄膜具有很強的應力敏感特性，在高靈敏度壓力傳感器、位移傳感器和量子隧道傳感器等相關器件應用上有極大的應用前景，因此通過對氫化硅薄膜顯微結構與介觀力學性能的研究，探明二者之間關系（內(nèi)稟關聯(lián)特性）可為器件開發(fā)提供基本數(shù)據(jù)。

作者簡介

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圖書目錄

1 緒論
1.1　氫化硅薄膜力學行為的研究背景和意義
1.2　耐高溫壓力傳感器的研究背景和意義
1.3　本書的主要內(nèi)容
參考文獻

2 氫化硅薄膜的制備和微觀表征
2.1　引言
2.2　射頻等離子體增強化學氣相沉積法
2.3　拉曼測試晶態(tài)比和平均晶粒大小
2.4　薄膜厚度研究
2.5　XRD衍射譜
小結
參考文獻

3 襯底對納米硅薄膜生長的影響
3.1　引言
3.2　納米硅薄膜的微觀表征
3.3　薄膜的AFM和HRTEM研究
3.4　結果和討論
小結
參考文獻

4 不同單光子激光線的氫化硅薄膜拉曼光譜
4.1　引言
4.2　薄膜制備
4.3　結果和討論
4.4　薄膜內(nèi)應力
小結
參考文獻

5 氫化硅薄膜介觀力學行為及其與微結構內(nèi)稟關聯(lián)特性
5.1　引言
5.2　納米壓痕
5.3　結果和討論
小結
參考文獻

6 耐高溫壓阻式壓力傳感器
6.1　耐高溫壓阻式壓力傳感器簡介
6.1.1　引言
6.1.2　壓阻式壓力傳感器基本原理
6.1.3　硅擴散壓阻式壓力傳感器
6.1.4　耐高溫壓阻式壓力傳感器
6.2　基于SIMOX的耐高溫壓力傳感器芯片制作
6.2.1　壓力傳感器芯片設計
6.2.2　SIMOX的耐高溫壓力傳感器芯片制作
6.3　耐高溫壓阻式壓力傳感器封裝
6.3.1　引言
6.3.2　硅／玻璃環(huán)靜電鍵合
6.3.3　內(nèi)引線鍵合
6.3.4　外引線轉接
6.4　耐高溫壓力傳感器靜態(tài)標定及溫度漂移補償
6.4.1　耐高溫壓力傳感器的靜態(tài)標定指標
6.4.2　熱靈敏度漂移系數(shù)及補償
6.4.3 零位輸出及其補償
6.4.4　熱零點漂移系數(shù)及補償
6.4.5　耐高溫壓力傳感器標定結果
6.4.6　與國外同類產(chǎn)品的比較
6.5　通用型分體式耐高溫壓力傳感器研制
6.5.1　引言
6.5.2　耐高溫分體式壓力傳感器結構設計
6.5.3　傳感器前置電路
6.5.4　耐高溫分體式壓力傳感器高溫標定
小結
參考文獻
7 結論