透明導(dǎo)電氧化物薄膜

第一章 透明導(dǎo)電薄膜概述
1.1 概述
1.2 透明導(dǎo)電薄膜的分類
1.3 透明導(dǎo)電薄膜的基本特性
1.3.1 透明導(dǎo)電金屬薄膜
1.3.2 透明導(dǎo)電氧化物薄膜
1.4 透明導(dǎo)電氧化物薄膜的研究現(xiàn)狀
1.4.1 SnO2薄膜及其摻雜體系
1.4.2 Cd2SnO4薄膜體系
1.4.3 In2O3薄膜及其摻雜體系
1.4.4 ZnO薄膜及其摻雜體系
1.5 透明導(dǎo)電氧化物薄膜的應(yīng)用
1.5.1 ITO薄膜的主要應(yīng)用
1.5.2 ZnO薄膜的主要應(yīng)用
1.5.3 透明導(dǎo)電薄膜的其他應(yīng)用
參考文獻(xiàn)

第二章 透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備技術(shù)
2.1 概述
2.2 真空蒸發(fā)鍍膜
2.2.1 真空蒸發(fā)鍍膜原理
2.2.2 真空蒸發(fā)的方式和設(shè)備
2.3 濺射鍍膜
2.3.1 概述
2.3.2 濺射鍍膜原理
2.3.3 濺射鍍膜的特點(diǎn)
2.3.4 濺射鍍膜裝置
2.3.5 磁控濺射沉積ITO薄膜
2.3.6 ITO鍍膜生產(chǎn)實(shí)例
2.3.7 磁控濺射沉積ZnO薄膜
2.4 化學(xué)氣相沉積
2.4.1 化學(xué)氣相沉積的原理
2.4.2 化學(xué)氣相沉積的分類與特點(diǎn)
2.4.3 化學(xué)氣相沉積ITO薄膜工藝
2.4.4 化學(xué)氣相沉積的ZnO薄膜制備工藝
2.5 其他化學(xué)沉積方法
2.5.1 溶膠-凝膠法制備透明導(dǎo)電薄膜
2.5.2 噴涂熱分解法制備透明導(dǎo)電薄膜
2.6 透明導(dǎo)電薄膜制備技術(shù)的比較
2.6.1 不同技術(shù)沉積的ITO薄膜的性能比較
2.6.2 不同技術(shù)沉積的ZnO薄膜的性能比較
2.6.3 其他透明導(dǎo)電薄膜的制備技術(shù)
參考文獻(xiàn)

第三章 薄膜的分析和性能檢測(cè)技術(shù)
3.1 概述
3.2 薄膜形貌分析
3.2.1 掃描電子顯微鏡
3.2.2 透射電子顯微鏡
3.2.3 掃描探針顯微鏡
3.3薄 膜相結(jié)構(gòu)分析
3.3.1 X射線衍射
3.3.2 電子衍射
3.4 薄膜成分分析
3.4.1 概述
3.4.2 電子探針X射線顯微分析
3.4.3 電子能譜分析
3.4.4 二次離子質(zhì)譜(SIMS)
3.5 表面電子態(tài)分析
3.6 表面原子態(tài)分析
3.7 薄膜厚度測(cè)量
3.7.1 薄膜厚度的概念
3.7.2 薄膜厚度的測(cè)量方法
3.8 薄膜電學(xué)性能測(cè)量
3.8.1 四點(diǎn)探針?lè)?br /> 3.8.2 霍爾效應(yīng)
3.9 薄膜光學(xué)性能測(cè)量
3.9.1 透射率和反射率測(cè)量
3.9.2 橢圓偏振測(cè)量技術(shù)
參考文獻(xiàn)

第四章 透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)特性
4.1 概述
4.2 ITO薄膜的結(jié)構(gòu)特性
4.2.1 ITO薄膜的相結(jié)構(gòu)
4.2.2 ITO薄膜的成分分布及化學(xué)態(tài)
4.2.3 ITO薄膜的組織形貌
4.3 ZnO：Al薄膜的結(jié)構(gòu)特性
4.3.1 ZnO薄膜的相結(jié)構(gòu)
4.3.2 ZnO薄膜的晶體生長(zhǎng)模式
4.3.3 ZnO薄膜的成分分布及化學(xué)態(tài)
4.3.4 ZnO薄膜的能帶結(jié)構(gòu)及表面功函數(shù)
參考文獻(xiàn)

第五章 透明導(dǎo)電薄膜的電學(xué)性能
5.1 概述
5.2 半導(dǎo)體薄膜中的電荷輸運(yùn)現(xiàn)象
5.2.1 單晶半導(dǎo)體材料中的電傳導(dǎo)
5.2.2 多晶材料中的電傳導(dǎo)
5.2.3 非晶材料中的傳導(dǎo)機(jī)制
5.3 未摻雜透明導(dǎo)電薄膜的電學(xué)性能
5.3.1 沉積工藝參數(shù)的影響
5.3.2 薄膜厚度的影響
5.3.3 沉積后退火處理的影響
5.4 摻雜透明導(dǎo)電膜的電學(xué)性能
5.4.1 摻雜量的影響
5.4.2 沉積工藝參數(shù)的影響
5.4.3 沉積后退火處理的影響
5.5 透明導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電機(jī)制的實(shí)驗(yàn)研究
5.6 透明導(dǎo)電氧化物薄膜電學(xué)性能的幾個(gè)值得關(guān)注的問(wèn)題
參考文獻(xiàn)

第六章 透明導(dǎo)電薄膜的光學(xué)性能
6.1 概述
6.2 光學(xué)常數(shù)

6.2.1 折射系數(shù)和消光系數(shù)
6.2.2 禁帶寬度
6.3 光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的關(guān)聯(lián)性
6.4 半導(dǎo)體氧化物薄膜的光學(xué)性質(zhì)
6.4.1 禁帶寬度
6.4.2 折射系數(shù)和消光系數(shù)
6.4.3 透射、反射和吸收
6.5 提高透明導(dǎo)電氧化物薄膜光學(xué)性能值得關(guān)注的技術(shù)
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第七章 透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用研究
7.1 概述
7.2 透明導(dǎo)電薄膜的性能指數(shù)
7.3 波長(zhǎng)(頻率)選擇特性應(yīng)用
7.3.1 波長(zhǎng)(頻率)選擇特性
7.3.2 摻雜對(duì)光學(xué)性能的影響
7.4 在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用
7.4.1 薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)
7.4.2 透明導(dǎo)電氧化物薄膜太陽(yáng)能電池
7.4.3 透明導(dǎo)電薄膜用于太陽(yáng)能電池的面電極
7.5 在顯示器件上的應(yīng)用
7.5.1 透明導(dǎo)電薄膜在發(fā)光二極管上的應(yīng)用
7.5.2 ITO透明導(dǎo)電薄膜在長(zhǎng)壽命電致發(fā)光器件上的應(yīng)用
7.5.3 SnO2、ITO透明薄膜電極在PbO光電導(dǎo)靶上的應(yīng)用
7.5.4 SnO2、ITO透明導(dǎo)電薄膜電極在液晶顯示器上的應(yīng)用
7.6 在氣敏元件上的應(yīng)用
7.6.1 甲烷和丙烷氣敏元件
7.6.2 一氧化碳探測(cè)器
7.6.3 氫氣敏元件
7.6.4 乙醇探測(cè)器
7.6.5 氮氧化物氣敏元件
7.6.6 其他氣體的氣敏元件
7.7 ZnO薄膜在壓電器件中的應(yīng)用
7.7.1 ZnO壓電薄膜的制備
7.7.2 壓電性能
7.7.3 壓電薄膜的應(yīng)用
7.8 其他應(yīng)用
7.8.1 In2O3、ITO透明導(dǎo)電薄膜在航空航天、汽車、高速列車上的應(yīng)用
7.8.2 透明導(dǎo)電薄膜在電子器件上的應(yīng)用
7.8.3 在防護(hù)涂層方面的應(yīng)用
7.9 透明導(dǎo)電薄膜今后應(yīng)著力研究解決的重要科學(xué)技術(shù)
參考文獻(xiàn)