IGBT場效應半導體功率器件導論

定　價：￥38.00

作　者：	袁壽財
出版社：	科學出版社
叢編項：
標　簽：	絕緣柵場效應器件

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ISBN：	9787030200419	出版時間：	2008-01-01	包裝：	平裝
開本：	16	頁數(shù)：	209	字數(shù)：

內容簡介

　　本書以新一代半導體功率器件IGBT為主線，系統(tǒng)地論述了場效應半導體功率器件的基礎理論和工藝制作方面的知識，內容包括器件的原理、模型、設計、制作工藝及應用等，重點討論IGBT，同時對其他器件如VDMOS、CoolMOS等也作了簡單介紹。本書著重闡述基礎理論，并適當吸收該領域近期的研究報道，各章后附有相關參考文獻，書后還附有全書統(tǒng)一使用的符號表。本書可作為高等院校電子科學與技術專業(yè)、微電子與固體電子學專業(yè)的教學用書，也可供從事物理專業(yè)及電子信息專業(yè)領域的教師、科研人員、研究生和本科生等參考閱讀。

作者簡介

　　袁壽財，生于1963年3月，陜西省商洛山陽縣人。1985年，獲西安交通大學半導體物理與器件專業(yè)工學學士；1988年，獲陜西微電子學研究所（陜西臨潼）碩士學位（VLSI研究方向）；2003年，獲西安交通大學電子科學與技術學科工學博士學位?，F(xiàn)為贛南師范學院（江西省贛州市）物理與電子信息學院教師。從事半導體大功率器件、新材料新器件及微納電子器件與電路的研究和教學工作。先后參與機械工業(yè)部“八五”科技攻關項目、國家自然科學基金及國家863計劃等多項科研項目。2004年4月，“一種硅化物全自對準槽柵絕緣柵雙極晶體管的制備方法”取得了國家發(fā)明專利。發(fā)表的學術論文中，SCI收錄4篇，EI收錄5篇。

圖書目錄

序
前言
第1章　緒論
　1.1　半導體功率器件與電力電子技術
　1.2　半導體功率器件及其主要應用領域
　1.3　電力電子與民族工業(yè)的振興
　1.4　本書的主要內容和章節(jié)安排
第2章　半導體功率器件技術回顧
　2.1　引言
　2.2　雙極結型晶體管（BJT）技術
　2.3　場效應晶體管（FFT）技術
　2.4　MOSFET的發(fā)展歷程
　2.5　絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
　2.6　其他半導體功率器件
　2.7　半導體新材料和新器件
　2.8　IGBT等半導體功率器件的應用
　2.9　小結
　參考文獻
第3章　IGBT的工作機理分析
　3.1　引言
　3.2　IGBT的基本結構及輸出，I-V特性
　3.3　IGBT工作機理的數(shù)值分析
　3.4 IGBT重要電性能參數(shù)的分析和優(yōu)化設計
　3.5　小結
　參考文獻
第4章　IGBT準數(shù)值分析模型
　4.1　引言
　4.2 IGBT n-區(qū)壓降計算的準數(shù)值模型
　4.3 IGBT n-區(qū)壓降計算的PIN二極管模型
　4.4 IGBT樣品測量與模型計算的比較
　4.5　小結
　參考文獻
第5章　IGBT的等效電路模型
　5.1　引言
　5.2 IGBT等效電路的建立
　5.3 IGBT n-區(qū)電阻的VCR模型
　5.4 IGBT等效電路模型參數(shù)的非破壞測試和提取
　5.5　模擬與測量的比較與討論
　5.6　小結
　參考文獻
第6章　IGBT的開關特性和溫度效應
　6.1　引言
　6.2　IGBT關斷特性的分析
　6.3　IGBT溫度效應的分析
　6.4　小結
　參考文獻
第7章　平面工藝IGBT設計與制作
　7.1　引言
　7.2　半導體功率器件的襯底材料
　7.3　平面工藝IGBT設計與制作
　7.4　全自對準淺結平面工藝IGBT設計
　7.5　制作芯片的測試與結果分析
　7.6　小結
　參考文獻
第8章　Trench Gate（槽柵）IGBT結構和工藝
　8.1 Trench工藝的提出
　8.2 Trench工藝的發(fā)展
　8.3 Trench的幾種結構
　8.4 Trench結構的優(yōu)勢與不足
　8.5　難熔金屬硅化物工藝
　8.6　全自對準Trench Gate IGBT結構與工藝設計
　8.7　電力電子新器件與新工藝
　8.8　小結
　參考文獻
第9章　pn結擊穿與終端保護技術
主要符號表