功率半導體器件：理論及應用

定　價：￥45.00

作　者：	（捷克）維捷斯拉夫·本達（Vitezslav Benda），（英）約翰·戈沃（John Gowar），（英）鄧肯A.格蘭特（Duncan A.Grant）著；吳郁，張萬榮，劉興明譯
出版社：	化學工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	電子與通信半導體技術

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ISBN：	9787502568023	出版時間：	2005-05-01	包裝：	膠版紙
開本：	24cm	頁數(shù)：	444	字數(shù)：

內容簡介

　　本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性，有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯(lián)系起來。書中內容由淺入深，從半導體的性質、基本的半導體結構、器件的制造和模擬、功率半導體器件的應用到各類重要功率半導體器件的基本原理、設計原則和應用特性，建立起一系列不同層次的、復雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導體器件各級模型的基礎知識，使功率半導體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件（分立的和集成的）的結構、功能、特性和特征。另外，書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關內容。本書可作為微電子和電力電子領域相關的工程技術人員的參考書，也可用作相關專業(yè)的高年級本科生、研究生課程的配合教材或參考書。

作者簡介

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圖書目錄

1 半導體的性質
　1.1 帶電載流子和半導體能帶結構
　1.2 自由載流子濃度
　1.3 半導體的電導率
　　1.3.1 決定電導率的因素
　　1.3.2 決定硅中載流子遷移率的因素
　1.4 過剩載流子的產(chǎn)生與復合
　　1.4.1 平衡和非平衡條件
　　1.4.2 通過局域陷阱中心的復合
　　1.4.3 其他復合過程
　1.5 載流子的擴散和漂移
　1.6 非均勻摻雜的影響
　總結
　參考文獻
2 基本的半導體結構
　2.1 pn結及其基本性質
　　2.1.1 電流電壓特性
　　2.1.2 反向偏置
　　2.1.3 電擊穿
　　2.1.4 熱擊穿和熱奔
　　2.1.5 光照對pn結特性的影響
　　2.1.6 pn結的瞬態(tài)特性
　2.2 nn+和pp+結
　2.3 表面效應和MOS結構
　2.4 金屬半導體接觸
　　2.4.1 整流（肖特基）接觸
　　2.4.2 歐姆接觸
　總結
　參考文獻
3 器件、制造和模擬
　3.1 各類功率半導體器件
　　3.1.1 功率二極管
　　3.1.2 常規(guī)的雙極功率晶體管
　　3.1.3 晶閘管結構
　　3.1.4 結型場效應（靜電感應）器件
　　3.1.5 功率MOS結構1：功率MOSFET
　　3.1.6 功率MOS結構2：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
　　3.1.7 功率MOS結構3：MOS控制晶閘管（MCT）
　　3.1.8 器件特性總結
　3.2 制造工藝
　　3.2.1 高純度單晶硅的制備
　　3.2.2 硅片制備
　　3.2.3 外延生長
　　3.2.4 熱氧化
　　3.2.5 光刻
　　3.2.6 刻蝕工藝
　　3.2.7 雜質的引入及再分布1：擴散
　　3.2.8 雜質的引入及再分布2：離子注入
　　3.2.9 化學氣相淀積技術
　　3.2.10 接觸的制備
　3.3 載流子壽命控制
　　3.3.1 獲得長載流子壽命的技術
　　3.3.2 減小載流子壽命的技術
　3.4 高壓結構
　3.5 計算機模擬及仿真技術
　總結
　參考文獻
4 功率半導體器件的應用
　4.1 不控整流
　4.2 可控整流
　4.3 交流到交流的變換
　4.4 逆變器
　4.5 非隔離型直流到直流變換器
　4.6 變壓器隔離型直流到直流變換器
　4.7 功率因數(shù)校正
　4.8 諧振電路
　總結
　參考文獻
5 功率二極管
6 雙極結型功率晶體管
7 晶閘管：基本工作原理
8 各類晶閘管及其應用
9 靜電感應功率器件
10 金屬氧化物半導體場效應功率晶體管
11 雙極MOS功率器件
12 功率模塊和集成結構
13 可靠工作的條件
14 未來的材料和器件
附錄擴散方程
中英文對照