現(xiàn)代電子線路（上）

第1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)
1. 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識
1. 1. l 本征半導(dǎo)體
1. 1. 2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
1. 1. 3 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機制
1. 2 PN結(jié)
1. 2. l 平衡狀態(tài)下的PN結(jié)
1. 2. 2 PN結(jié)的伏安特性
1. 2. 3 擴散電容
1. 2. 4 反向擊穿與穩(wěn)壓二極管
1. 2. 5 PN結(jié)的其他應(yīng)用
**1. 2. 6 肖特基結(jié)和歐姆接觸
**1. 2. 7 PN結(jié)伏安特性方程的推導(dǎo)
1. 3 二極管應(yīng)用基礎(chǔ)
1. 3. 1 二極管伏安特性及其模型
1. 3. 2 二極管大信號應(yīng)用舉例
1. 3. 3 二極管小信號應(yīng)用舉例
1. 4 雙極型晶體管原理
1. 4. 1 雙極型晶體管工作原理和Ebers-Moll模型
1. 4. 2 四個工作區(qū)及伏安特性曲線
1. 4. 3 對Ebers-Moll模型的修正
**1. 4. 4 Ebers-Moll模型（晶體管伏安特性的解析方程）推導(dǎo)
1. 5 晶體管應(yīng)用基礎(chǔ)
1. 5. 1 開關(guān)應(yīng)用
1. 5. 2 晶體管用于線性放大原理
1. 5. 3 晶體管靜態(tài)工作點設(shè)置
1. 5. 4 小信號等效電路
1. 6 場效應(yīng)晶體管
1. 6. 1 場效應(yīng)管的基本原理
1. 6. 2 增強型N溝道MCSFET
1. 6. 3 其他三種MCBFET
1. 6. 4 結(jié)型場效應(yīng)晶體管
1. 6. 5 場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用
**l. 6. 6 功率MCBFET. 電可擦寫只讀存儲器
習(xí)題
第2章 放大器基礎(chǔ)
2. 1 放大器基本概念及主要性能指標(biāo)
2. 1. l 放大器主要性能指標(biāo)
2. 1. 2 放大器的四種類型
2. 2 分立元件晶體管放大器
2. 2. 1 BJT三種組態(tài)基本放大器
2. 2. 2 FET三種組態(tài)基本放大器
2. 2. 3 晶體管基本放大器的缺點及改進措施
2. 3 分立元件差分放大器
2. 3. 1 電路結(jié)構(gòu)
2. 3. 2 理想情況下差分放大器特性
2. 3. 3 非理想情況下差分放大器特性
2. 3. 4 FET差分放大器
2. 4 放大器頻率響應(yīng)
2. 4. l 頻率響應(yīng)及其表示方法
2. 4. 2 基本組態(tài)放大器頻率響應(yīng)
2. 4. 3 組合態(tài)放大器的頻率響應(yīng)
2. 5 放大器中的反饋
2. 5. 1 反饋放大器基本概念
2. 5. 2 負(fù)反饋降低靈敏度
2. 5. 3 負(fù)反饋改善失真
2. 5. 4 四種負(fù)反饋
2. 5. 5 負(fù)反饋對放大器其他性能的影響
習(xí)題
第3章 集成運算放大器基礎(chǔ)
3. l 雙極型晶體管集成運放
3. 1. l 集成運算放大器基本結(jié)構(gòu)
3. 1. 2 電流鏡和電平移動電路
3. 1. 3 典型集成運放 A-741電路分析
**3. 1. 4 集成電路中的晶體管知識
3. 2 CMOS和BIFET集成運放
3. 2. 1 MOS電流鏡
3. 2. 2 CMOS差分增益級
3. 2. 3 恒壓源
3. 2. 4 CMOS反相器
3. 2. 5 輸出級
3. 2. 6 CMOS集成運放的實例
3. 2. 7 BiFET集成運放
3. 3 運放的頻率特性及大信號運用
3. 3. 1 放大器的穩(wěn)定性及其指標(biāo)
3. 3. 2 頻率補償
3. 3. 3 大信號運用
3. 4 專用運放
3. 4. 1 測量放大器
3. 4. 2 互導(dǎo)放大器
3. 4. 3 緩沖放大器（電壓跟隨器）
3. 4. 4 電壓比較器
3. 4. 5 電源限放大器
3. 5 寬帶高速放大器
3. 5. 1 電壓反饋運放
3. 5. 2 輸人級發(fā)射極串聯(lián)電阻降低互導(dǎo)
3. 5. 3 場效應(yīng)管輸人級結(jié)構(gòu)
3. 5. 4 折疊式級聯(lián)結(jié)構(gòu)輸入級
3. 5. 5 甲乙類（AB類）推挽輸人級高速放大器
3. 5. 6 電流反饋運放
**3. 6 電流模電路
3. 6. 1 引言
3. 6. 2 跨導(dǎo)線性原理
3. 6. 3 電流模電路實例分析
3. 6. 4 電流模電路舉例
3. 7 模擬集成電路常識
3. 7. 1 工藝線寬和特征尺寸
3. 7. 2 半導(dǎo)體材料及模擬集成電路工藝發(fā)展現(xiàn)狀
3. 7. 3 環(huán)境溫度. 電源電壓等對運放性能的影響
習(xí)題
第4章 集成運算放大器應(yīng)用
引言
4. 1 通用集成運放的模型和特性參數(shù)
4. 1. 1 運算放大器的電路符號
4. l. 2 主要特性參數(shù)
4. 1. 3 運算放大器的模型
4. 2 信號運算電路
4. 2. 1 運算放大器的三種基本輸人形式
4. 2. 2 基本運算電路
4. 2. 3 實際集成運算放大器的運算特性
4. 3 特殊用途運算放大器
4. 3. 1 測量放大器
4. 3. 2 程控增益放大器
4. 3. 3 采樣／保持器
4. 4 集成運算放大器的應(yīng)用
4. 4. l 有源濾波器
4. 4. 2 精密二極管電路
4. 4. 3 電壓-電流變換器
4. 5 比較器
4. 5. l 比較器的基本原理
4. 5. 2 單片集成電壓比較器
4. 5. 3 比較器的應(yīng)用
4. 6 正確使用集成運算放大器
4. 6. l 集成運放的型號選擇
4. 6. 2 正確使用性能參數(shù)
4. 6. 3 為輸人偏置電路提供直流通路
4. 6. 4 合理選擇外部電路元件
4. 6. 5 供電電源的去耦問題
習(xí)題
參考文獻