半導體激光器基礎

定　價：￥23.00

作　者：	（日）棲原敏明著；周南生譯
出版社：	共立出版社
叢編項：	先進光電子技術叢書
標　簽：	激光技術

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ISBN：	9787030101877	出版時間：	2002-07-01	包裝：	平裝
開本：	21cm	頁數(shù)：	276	字數(shù)：

內容簡介

　　本書是先進光電子技術叢書之2。書中以半導體激光器在信息技術中的應用為背景，詳細地介紹了半導體替激光器的基本原理、器件結構、工作特性，也對有關的材料和工藝技術做了說明。全書分8章和附錄。第1、2、3章講述半導體激光器的物理基礎，包括電子與光子的相互作用及半導體激光器的基本原理、結構、材料和應用。第4、5、6章介紹量子阱結構的受激發(fā)射，并對各種光波導和激光器特性做了較全面的論述。第7、8章講述分布反饋型激光器和各種半導體激光放大器。.本書可作為光電子技術、微電子技術、激光與紅外、光通信等專業(yè)高年級大學生及研究生的教學參考書，也可供在上述領域從事研究、開發(fā)、生產的工程技術人員和研究人員參考。...

作者簡介

暫缺《半導體激光器基礎》作者簡介

圖書目錄

第1章概述.
1.1半導體激光器的基本原理與器件結構
1.2半導體激光器材料
1.3注入型半導體激光器的特點
1.4半導體激光器的應用
第2章電子與光子的相互作用
2.1光波的量子化與光子
2.2電子與光子的相互作用
2.3光子的吸收與發(fā)射
2.4反轉分布與光放大
第3章半導體中的受激發(fā)射與光放大增益
3.1半導體的能帶結構與受激發(fā)射
3.2直接躍遷模型
3.3GHLBT-SME模型
3.4增益頻譜與增益系數(shù)
3.5自然發(fā)射與注入電流密度
3.6密度矩陣分析
第4章量子阱結構中的受激發(fā)射
4.1量子阱結構中的電子狀態(tài)
4.2直接躍遷模型
4.3增益頻譜與增益系數(shù)
4.4自然發(fā)射與注入電流密度
4.5應變量子阱
第5章半導體異質結構光波導
5.1半導體激光器中光波導的概況
5.2光波的基本方程式
5.3平面波導..
5.4波導內的光波
5.5擾動的處理與光波限制系數(shù)
5.6溝道形波導
5.7波導端面反射
5.8波導型法步里-珀羅諧振器
5.9遠場圖
第6章半導體激光器的特性
6.1半導體激光器的結構與激射概要
6.2速率方程式
6.3穩(wěn)態(tài)激射特性
6.4調制特性
6.5噪聲特性
6.6單模頻譜與頻譜線寬
6.7超短光脈沖的發(fā)生
第7章分布分虧型激光器
7.1動態(tài)單模激光器
7.2耦合模方程式
7.3分布反饋型激光器
7.4分布布拉格反射型激光器
第8章半導體激光放大器
8.1增益頻譜與增益飽和
8.2諧振型激光放大器
8.3行波型激光放大器
8.4錐形激光放大器
8.5MOPA激光器
附錄
索引...